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產(chǎn)品中心

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功率芯片燒結銀封裝

南京芯興提供功率器件的封裝技術(shù)方案:SiC MOSFET或SiC SBD采用有壓燒結銀焊接,導熱率達到260W/mK以上,無(wú)孔洞,顯著(zhù)降低器件節溫,提高了器件導熱導電性能和長(cháng)期使用可靠性。

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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品特點(diǎn):

  • 高導熱,導熱率達到260W/m·k

  • 低溫燒結,高溫服役,使用溫度可達500℃以上

  • 連接強度高,剪切力>100MPa

  • 抗疲勞性能好,可靠性高


 



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